西安电子科技大学《模拟电子线路》模拟试题四解析及答案

西安电子科技大学《模拟电子线路》模拟试题、解析及答案
试题四
一、填空题（每空2.5分，共25分）
1．集成运算放大电路的理想化条件：Aod=         ，rid=        。
解析：基本知识题。理想运放具有开环放大倍数无穷大等。
答案：无穷大（∞），无穷大（∞）
2．差动放大电路是利用           来抑制零点漂移。
解析：零漂因直接耦合原因带来，减小可采用对称性（差分电路的特点）。
答案：电路结构对称性
3．差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V，Ui2=1.98V，则该电路的差模输入电压Uid为        V，共模输入电压Uic为       V。
解析：基本计算题。Uid=(Ui1-Ui2)，Uic=(Ui1+Ui2)/2
答案：0.02V，1.99V
4．放大器的基本任务是                         。
解析：放大信号+不失真。
答案：不失真放大信号
5．偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位______。
解析：单级共发射级放大器是倒相放大器。
答案：相同
6．为了降低输出电阻应引入           负反馈。
解析：电压反馈从输出电路来看是并联形式，可减小输出电阻。
答案：电压
二、单项选择题（每小题2分，共20分）
1．二极管两端电压大于        电压时，二极管才导通。
A、击穿电压       B、 死区       C 、饱和       D、夹断电压
解析：基本概念题，“死区电压”。
答案：B
2．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于        。
A、杂质浓度      B、温度       C、输入      D、电压
解析：杂质从何而来？“掺杂”浓度决定了多数载流子浓度。
答案：A
3．电路如图所示，设二极管VD1，VD2，VD3的正向压降忽略不计，则输出电压uO =          。
A、－2V          B、0V         C、6V          D、12V

解析：判断原则哪个二管管两端电压最大，优先导通。
答案：A
4．晶体三极管则属于        控制型器件。
A、电压        B、电流        C、电感         D、电容
解析：晶体三极管相比场效应管输入电阻较小。
答案：B
5．引入串联负反馈，可使放大器的        。
Ａ、输出电压稳定      　     Ｂ、反馈环内输入电阻增加　
Ｃ、反馈环内输入电阻减小     D、输出电流稳定
解析：“串联反馈”——输入电阻增加。
答案：B
6．共集电极与共发射极放大电路相比，其输入电阻        。
A、高         B、低         C、无法比较       D、相同
解析：集电结和发射结相比呢？
答案：A
7．本征半导体电子浓度        空穴浓度。
A、大于        B、小于        C、等于        D、无法确定
解析：本征半导体即纯净半导体，对外呈中性。
答案：C
8．P型半导体是在本征半导体中加入        物质后形成的。
A、电子      B、空穴        C、三价硼元素      D、五价磷元素
解析：P型半导体，空穴浓度>自由电子浓度。
答案：C
9．运算放大器电路如图所示，其反馈极性和类型为        。
Ａ、串联电压负反馈　　     Ｂ、串联电流负反馈　　
Ｃ、并联电压负反馈         D、并联电流负反馈

解析：输入在同相端，反馈信号在反相端。反馈信号取自输出电压。
答案：A
10．三极管放大电路中，若Q点设置得过低，则容易产生        失真。
A、截止          B、饱和         C、频率          D、电源
解析：Q点过低，接近输出特性的截止区。
答案：A
三、多项选择题（每小题2.5分，共15分）
1．分析放大器直流通路分析时常将        。
A. 电容短路                 B. 电容开路
C. 电感短路                 D. 电感开路
解析：容抗等于1/ωC，电感感抗ωL。
答案：B、C
2．影响放大器频率特性的因素有        。
A. 耦合电容    B. 旁路电容    C. 极间电容    D. 偏置电阻
解析：极间电容影响高频特性，旁路、耦合电容影响低频特性。
答案：A、B、C
3．可以稳定电流的负反馈类型有        。
A. 串联电压    B. 串联电流    C. 并联电压      D. 并联电流
解析：电流反馈可稳定输出电流。
答案：B、D
4．场效应管的输出特性可划分为4个区域        。
A. 可变电阻区      B.恒流区     C. 击穿区     D. 截止区
解析：基本概念题，
答案：A、B、C、D
5．下面是场效应管参数的有        。
A. IDSS      B. 夹断电压UP    C. 开启电压UT    D. β
解析：β是晶体三极管共发射极电流放大倍数。
答案：A、B、C
6．理想运放技术指标可理想化为无穷大的有        。
A. 开环放大倍数   B. 输入电阻   C. 输出电阻   D. 共模抑制比
解析：基本知识题，输出电阻理想应无穷小。
答案：A、B、D
四、分析计算题（每题10分，共40分）
1．二极管电路如图1所示，设各二极管均具有理想特性，试判断图中各二极管是导通还是截止，并求出Uo。

解析：二极管应用题，单向导电性+最大端电压。
答案：（a） Uo=15V   （b）Uo=－6V
2．指出图2所示各放大电路的名称，并画出它们的交流电路（图中电容对交流呈现短路）。

(a)                            (b)               
解析：放大器组态判断即交流等效（电容短路）。
答案：（a）共集电极放大电路        (b)共基极放大电路

3．三极管放大电路如图1.3所示，已知三极管的UBEQ=0.7V，β=100，各电容在工作频率上的容抗可不计。（1）求静态工作点ICQ、UCEQ；（2）画出放大电路的微变等效电路；（3）求电压放大倍数Au=uo/ui；（4）求输入电阻Ri和输出电阻Ro（10分）（rbb′=300Ω）


解析：分压偏置式共发射级放大器，应熟练掌握计算方法。
答案：（1）     ICQ=2.2mA        UCEQ=2.1V
    （2）


（3）  Au –100
（4） Ri 1.5kΩ     Ro 3kΩ
4．已知：集成运算放大电路如图4所示。已知U1=1V， U2=2V
求（1）Uo1；
  （2）Uo。




解析：集成运算放大器直流输入简单计算问题。
答案：解：
（1）Uo1=1V
（2）